擴散是弧柱內(nèi)自由電子、正離子逸出弧柱以外，到周圍冷介質(zhì)中去的過程。擴散是由于帶電質(zhì)點的不規(guī)則熱運動，以及空間電荷的分布不均勻，使電弧中的高溫離子由密集的空間向密度小，溫度低的方向擴散。專業(yè)MSD用熔斷器電弧和周圍介質(zhì)的溫度差以及離子濃度差越大擴散作用也越強。擴散出來的離子，因冷卻而相互結(jié)合，成為中性質(zhì)點顯然，如果游離過程大于去游離過程，電弧將繼續(xù)燃燒，并越燒越旺，如果去游離過程大于游離過程，電弧便越來越小，最后電弧將熄滅。由此分析，熄滅電弧的基本方法是設(shè)法冷卻電弧，設(shè)法加強復(fù)合和擴散形成的去游離過程。高壓限流熔斷器熄滅電弧的基本原理，就是當(dāng)熔體元件熔化而出現(xiàn)電弧后，迫使電弧深入到周圍填料石英砂構(gòu)成的縫隙中去，根據(jù)狹縫滅弧原理，電弧與石英砂緊密接觸，使電弧急劇冷卻，從而迫使電流急劇下降到零。當(dāng)預(yù)期電流非常大，熔體元件熔化、蒸發(fā)、出現(xiàn)間隙及電弧時，這一過程在非常短的時間之內(nèi)就已經(jīng)完成，熔體元件在來不及向周圍填料石英砂傳熱的情況下，就已經(jīng)熔斷并形成電弧。

熔化過程帶有爆炸性，熔化的金屬和蒸汽立即深深地滲入到還處于冷態(tài)的石英砂中去，電弧很快熄滅，這一點正好和前述最大弧能條件相呼應(yīng)。專業(yè)MSD用熔斷器當(dāng)預(yù)期電流達(dá)到最大弧能的條件時，熔體元件在熔化前伴隨著各種熱傳導(dǎo)，使周圍填料溫度已經(jīng)提高。熔體元件可能在某一處或幾處最薄弱的位置首先熔斷，形成高溫電弧，但周圍填料溫度較高，狹縫滅弧進(jìn)行較慢，直到熔化的長度達(dá)到滅弧的必須的空隙要求，才最終熄弧。操作過電壓的特點。高壓限流熔斷器在切斷故障的過程中，在它的端子上將出現(xiàn)瞬態(tài)異常電壓。它可以是峰值弧電壓，也可能是在瞬態(tài)恢復(fù)電壓時間內(nèi)出現(xiàn)的電壓。假定燃弧開始時，電流方向為正，要迫使電流下降，其變化率元必須為負(fù)。出現(xiàn)這種情況，必須是U1大于(e-iR。)。在燃弧開始時，這一條件尚不能滿足，電流將繼續(xù)上升一些，然后，電流才開始下降。為了盡快使電弧熄滅，甘肅MSD用熔斷器兩端電壓必須很大。F-C回路的過電壓分析，增加熔體元件的槽口數(shù)有助于增加電弧電壓U，因為這將形成幾個電弧相串聯(lián)，但需要注意這種措施也應(yīng)受到一定限制，應(yīng)避免熔斷器兩端產(chǎn)生太高的過電壓。

火力發(fā)電廠中對不要求自起動的Ⅱ、Ⅲ類電動機和不能自起動的電動機一般設(shè)置0.5時限的低電壓保護(hù)；甘肅MSD用熔斷器對于1類電動機，當(dāng)裝有自動投入的備用機械時，或未保證人身和設(shè)備安全，在電源電壓長時間消失后須自動切除時，均應(yīng)裝設(shè)9-10s的低電壓保護(hù)。F-C回路中低電壓保護(hù)構(gòu)成方法如下：一是對真空接觸器由直流或直接由交流220V控制情況，由接于F-C柜上的綜合保護(hù)裝置通過檢測來自于母線TV的電壓信號實現(xiàn)，接點作用于接觸器跳閘；二是對接觸器通過降壓變壓器(由一次回路直接降壓)交流控制情況，電保持型的真空接觸器本身具有低電壓保護(hù)功能，機械保持型的真空接觸器仍由接于F-C柜上的綜合保護(hù)裝置通過檢測來自于母線TV的電壓信號實現(xiàn)。專業(yè)MSD用熔斷器由綜合保護(hù)裝置實現(xiàn)的低電壓保護(hù)設(shè)為兩段。低壓電保護(hù)一段動作電壓為動作時限為9s。式中Un為系統(tǒng)的額定電壓。斷相(不平衡)運行保護(hù)。FC回路故障時，由于熔斷器可能出現(xiàn)單相熔斷，為防止三相電壓不平衡的危害，F(xiàn)C回路需裝設(shè)此保護(hù)。目前F-C開關(guān)柜所采用的熔斷器均要求配撞擊器，撞擊器可實現(xiàn)上述保護(hù)撞擊器的作用是熔斷器熔斷時立即動作聯(lián)跳接觸器，避免設(shè)備非全相運行。

電動機的啟動電流或突然投入電流的時間一電流特性應(yīng)在綜合保護(hù)裝置的最小動作特性以下，以免真空接觸器誤動作。對于變壓器類負(fù)荷，當(dāng)變壓器低壓側(cè)或變壓器內(nèi)部發(fā)生故障由真空接觸器動作時，熔斷器宜能對變壓器低壓側(cè)的短路故障進(jìn)行保護(hù)，熔斷器的最小開斷電流宜低于預(yù)期短路電流。專業(yè)MSD用熔斷器對于廠用電系統(tǒng)中裝有接地跳閘保護(hù)時，應(yīng)注意中性點接地方式及中性點接地設(shè)備的選擇，以避免出現(xiàn)在電流大于真空接觸器額定開斷電流時真空接觸器跳合閘，具體的選擇方式可參照 DL/T 5153《火力發(fā)電廠廠用電設(shè)計技術(shù)規(guī)程》。甘肅MSD用熔斷器在與上下級電源進(jìn)行保護(hù)配合時，為了保證F-C回路保護(hù)具有選擇性，電源樹斷路器綜合保護(hù)裝置的動作特性要在熔斷器時間一電流特性曲線的右側(cè)，負(fù)荷側(cè)設(shè)備的保護(hù)裝置的動作特性要在熔斷器時間一電流特性曲線左側(cè)。對于熔斷器與電源側(cè)保護(hù)的配合，發(fā)電廠內(nèi)是F-C回路保護(hù)與高壓廠用母線進(jìn)線回路保護(hù)的配合，該進(jìn)線回路的保護(hù)特性為綜合保護(hù)裝置提供的由多條保護(hù)曲線構(gòu)成的曲線族，一般不用特殊考慮，可在調(diào)試階段由調(diào)試單位確定。