采用氧化鋅過電壓限制器作為F-C回路的過電壓保護(hù)設(shè)備時(shí)可以考慮設(shè)置間隙。帶串聯(lián)間隙氧化鋅過電壓限制器解決了持續(xù)運(yùn)行電壓和荷電率過高而導(dǎo)致的閥片老化甚至爆炸的難題。帶串聯(lián)間隙氧化鋅過電壓限制器增加了氧化鋅閥片的持續(xù)運(yùn)行電壓的裕度，保證了限制器的工作壽命，殘壓較低，保護(hù)性能較好。專業(yè)熔斷器座F-C回路的過電壓與系統(tǒng)中性點(diǎn)接地方式密切相關(guān)，設(shè)計(jì)中應(yīng)區(qū)別對(duì)待不同的中性點(diǎn)接地方式選擇過電壓保護(hù)設(shè)備配置方式。對(duì)中性點(diǎn)經(jīng)低電阻接地的配電系統(tǒng)，過電壓保護(hù)器的相地及相間保護(hù)電壓分別按配電系統(tǒng)的相電壓和線電壓選擇，宜選用星形接線形式的三相過電壓保護(hù)器。對(duì)中性點(diǎn)不接地、經(jīng)消弧線圈接地或經(jīng)高電阻接地的配電系統(tǒng)，過電壓保護(hù)器的相地及相間保護(hù)電壓均按配電系統(tǒng)的線電壓選擇，當(dāng)前應(yīng)用比較廣泛的是“三叉戟”接線形式的三相過電壓保護(hù)器。所謂“三叉戟”接線形式，西安熔斷器座是指過電壓保護(hù)裝置由4個(gè)參數(shù)相同的保護(hù)器構(gòu)成，其中3個(gè)保護(hù)器分別與三相連接并形成星形接線，第4個(gè)保護(hù)器設(shè)置在星形接線的三相連接點(diǎn)與接地點(diǎn)之間，以保證各相之間以及相與地之間保護(hù)器配置的均衡。

熔化過程帶有爆炸性，熔化的金屬和蒸汽立即深深地滲入到還處于冷態(tài)的石英砂中去，電弧很快熄滅，這一點(diǎn)正好和前述最大弧能條件相呼應(yīng)。專業(yè)熔斷器座當(dāng)預(yù)期電流達(dá)到最大弧能的條件時(shí)，熔體元件在熔化前伴隨著各種熱傳導(dǎo)，使周圍填料溫度已經(jīng)提高。熔體元件可能在某一處或幾處最薄弱的位置首先熔斷，形成高溫電弧，但周圍填料溫度較高，狹縫滅弧進(jìn)行較慢，直到熔化的長度達(dá)到滅弧的必須的空隙要求，才最終熄弧。操作過電壓的特點(diǎn)。高壓限流熔斷器在切斷故障的過程中，在它的端子上將出現(xiàn)瞬態(tài)異常電壓。它可以是峰值弧電壓，也可能是在瞬態(tài)恢復(fù)電壓時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)的電壓。假定燃弧開始時(shí)，電流方向?yàn)檎?，要迫使電流下降，其變化率元必須為?fù)。出現(xiàn)這種情況，必須是U1大于(e-iR。)。在燃弧開始時(shí)，這一條件尚不能滿足，電流將繼續(xù)上升一些，然后，電流才開始下降。為了盡快使電弧熄滅，西安熔斷器座兩端電壓必須很大。F-C回路的過電壓分析，增加熔體元件的槽口數(shù)有助于增加電弧電壓U，因?yàn)檫@將形成幾個(gè)電弧相串聯(lián)，但需要注意這種措施也應(yīng)受到一定限制，應(yīng)避免熔斷器兩端產(chǎn)生太高的過電壓。

火力發(fā)電廠中對(duì)不要求自起動(dòng)的Ⅱ、Ⅲ類電動(dòng)機(jī)和不能自起動(dòng)的電動(dòng)機(jī)一般設(shè)置0.5時(shí)限的低電壓保護(hù)；西安熔斷器座對(duì)于1類電動(dòng)機(jī)，當(dāng)裝有自動(dòng)投入的備用機(jī)械時(shí)，或未保證人身和設(shè)備安全，在電源電壓長時(shí)間消失后須自動(dòng)切除時(shí)，均應(yīng)裝設(shè)9-10s的低電壓保護(hù)。F-C回路中低電壓保護(hù)構(gòu)成方法如下：一是對(duì)真空接觸器由直流或直接由交流220V控制情況，由接于F-C柜上的綜合保護(hù)裝置通過檢測(cè)來自于母線TV的電壓信號(hào)實(shí)現(xiàn)，接點(diǎn)作用于接觸器跳閘；二是對(duì)接觸器通過降壓變壓器(由一次回路直接降壓)交流控制情況，電保持型的真空接觸器本身具有低電壓保護(hù)功能，機(jī)械保持型的真空接觸器仍由接于F-C柜上的綜合保護(hù)裝置通過檢測(cè)來自于母線TV的電壓信號(hào)實(shí)現(xiàn)。專業(yè)熔斷器座由綜合保護(hù)裝置實(shí)現(xiàn)的低電壓保護(hù)設(shè)為兩段。低壓電保護(hù)一段動(dòng)作電壓為動(dòng)作時(shí)限為9s。式中Un為系統(tǒng)的額定電壓。斷相(不平衡)運(yùn)行保護(hù)。FC回路故障時(shí)，由于熔斷器可能出現(xiàn)單相熔斷，為防止三相電壓不平衡的危害，F(xiàn)C回路需裝設(shè)此保護(hù)。目前F-C開關(guān)柜所采用的熔斷器均要求配撞擊器，撞擊器可實(shí)現(xiàn)上述保護(hù)撞擊器的作用是熔斷器熔斷時(shí)立即動(dòng)作聯(lián)跳接觸器，避免設(shè)備非全相運(yùn)行。

多采用中性點(diǎn)不接地的運(yùn)行方式，在這種條件下使用阻容吸收器，由于相對(duì)地電容值增大，電容電流也將隨之大幅度增大，這時(shí)需重新考慮中性點(diǎn)接地的接地方式及零序保護(hù)的配置。當(dāng)火力發(fā)電廠單機(jī)容量為300MW及以上時(shí)，高壓廠用電系統(tǒng)的單相接地電容電流較大，多采用中性點(diǎn)經(jīng)低電阻接地的方式，相對(duì)于大得多的低電阻接地的阻性電流來說，阻容吸收器電容電流的影響就不那么大了。專業(yè)熔斷器座所以在高壓廠用電系統(tǒng)的中性點(diǎn)采用低電阻接地的接地方式的大容量機(jī)組中，采用阻容吸收器作為限制過電壓的措施在理論上已經(jīng)成為了一種可行的措施，但針對(duì)不同系統(tǒng)，其具體參數(shù)需要進(jìn)一步的運(yùn)行測(cè)試檢驗(yàn)。制過電壓的保護(hù)措施及過電壓保護(hù)裝置的選針對(duì)中性點(diǎn)低電阻接地系統(tǒng)，用于F-C回路的阻容過電壓吸收器可以采用不接地系統(tǒng)相同的電容值和電阻值，即可以取相間電容約為0.1~0.5F，相間電阻值約為100~500，相地電容約為0.2~1F，相地電阻值約為50~25002。由于西安熔斷器座單相接地故障時(shí)不存在相電壓升高為線電壓的問題，阻容過電壓吸收器宜采用星形接線方式，而不再是傳統(tǒng)上適用于中性點(diǎn)非接地系統(tǒng)的“三叉戟”型式。

限制過電壓的保護(hù)措施及過電壓保護(hù)裝置的選擇，限制過電壓的保護(hù)措施。如前所述，F(xiàn)-C回路的過電壓包括真空接觸器在開斷感性電流時(shí)產(chǎn)生的過電壓、真空接觸器觸頭分開瞬間可能產(chǎn)生的高頻電弧重燃過電壓、高壓限流熔斷器產(chǎn)生的會(huì)危害高壓電動(dòng)機(jī)絕緣的熔斷電弧電壓。專業(yè)熔斷器座對(duì)這些過電壓應(yīng)采取措施限制其幅值和陡度，以免造成設(shè)備損壞在設(shè)備選擇上，熔斷器在滅弧過程中伴隨著電弧電壓而出現(xiàn)操作過電壓，此過電壓的幅值與開斷電流和熔體結(jié)構(gòu)有關(guān)，而與工作電壓關(guān)系不是很大，制造廠家規(guī)定此電壓不超過兩倍相對(duì)地電壓，低于電動(dòng)機(jī)和變壓器的絕緣強(qiáng)度，可以不加限制措施，但需在訂貨時(shí)向廠家明確此要求。如制造廠無法滿足該要求時(shí)，應(yīng)根據(jù)實(shí)際操作過電壓情況在過電壓保護(hù)和絕緣設(shè)計(jì)時(shí)按相關(guān)國家標(biāo)準(zhǔn)采取限制過電壓的措施，保護(hù)設(shè)備絕緣。另外，熔斷器不宜降壓使用。F-C回路過電壓保護(hù)裝置通常布置在F-C回路柜內(nèi)，西安熔斷器座如果過電壓保裝置不能滿足保護(hù)設(shè)備絕緣的需要，則需要調(diào)整過電壓保護(hù)裝置的布置位置，將過電壓保護(hù)裝置置于電動(dòng)機(jī)端以提高保護(hù)效果。