真空接觸器的控制回路應(yīng)滿足下列要求：1)控制電源電壓應(yīng)與廠用電控制系統(tǒng)電壓一致，采用直流11V或220V，也可以采用交流220V。專業(yè)MSD用熔斷器控制電壓應(yīng)不小于額定值的85%，也不應(yīng)大于額定值110%，分閘回路的控制電壓應(yīng)不超過額定值的120%。2)接觸器的最小合閘電壓應(yīng)不小于額定電壓的85%，最小跳閘電壓也應(yīng)不小于額定電壓的65%。3)熔斷器操作完成后，接觸器(電保持型接觸器除外)的合、跳閘線圈應(yīng)自動(dòng)斷開合、跳閘回路。4)具有防止接觸器多次合跳的“防跳”功能。5)能監(jiān)控控制電源及跳閘回路、備用設(shè)備自動(dòng)投入回路的完好性。6)事故跳閘及備用設(shè)備投入應(yīng)有明顯的信號(hào)。7)真空接觸器的輔助觸頭的數(shù)量應(yīng)滿足控制和連鎖的要求。8)真空接觸器宜具有與開關(guān)柜的機(jī)械防誤操作連鎖結(jié)構(gòu)。重慶MSD用熔斷器根據(jù)工程經(jīng)驗(yàn)，接觸器回路的“防跳”功能尤其重要。當(dāng)開關(guān)柜或接觸器發(fā)生機(jī)械故障時(shí)發(fā)岀合閘命令(即合閘到故障點(diǎn))，此時(shí)如果缺少“防跳”回路或者“防跳”回路不完全，即使發(fā)出保護(hù)跳閘命令或者手動(dòng)跳閘命令。

電源側(cè)在電弧燃燒過程中也提供一部分能源。實(shí)際經(jīng)驗(yàn)表明，預(yù)期電流最大的情況下，往往并不對(duì)應(yīng)燃弧消耗能量的最大值，然而，最大弧能的條件一般出現(xiàn)在預(yù)期電流達(dá)到(3~4)I。為開始限流的預(yù)期電流值)時(shí)。專業(yè)MSD用熔斷器滅弧的基本原理。熔斷器電弧的燃燒與熄滅，取決于弧道區(qū)域的游離與去游離的過程，當(dāng)去游離過程大于游離過程時(shí)，電弧將熄滅。高壓熔斷器熔斷且產(chǎn)生電弧時(shí)，在弧柱區(qū)的高溫作用下，介質(zhì)的分子和原子產(chǎn)生強(qiáng)烈運(yùn)動(dòng)，它們之間不斷發(fā)生碰撞，游離出電子和正離子，即熱游離。在電弧穩(wěn)定燃燒的情況下，弧柱的溫度很高，電弧電壓和弧柱的電場(chǎng)強(qiáng)度則較低，這種情況下，弧柱的游離作用主要是靠熱游離來維持。在發(fā)生游離過程的同時(shí)，還進(jìn)行著帶電質(zhì)點(diǎn)減少的去游離過程。重慶MSD用熔斷器在穩(wěn)定燃燒的電弧中，這兩個(gè)過程處于動(dòng)平衡狀態(tài)。去游離的主要方式是復(fù)合和擴(kuò)散。復(fù)合是異性帶電質(zhì)點(diǎn)的電荷彼此中和。顯然，運(yùn)動(dòng)速度較低的帶電質(zhì)點(diǎn)更易于相互接近而復(fù)合。因此，設(shè)法降低電弧溫度，是熄滅電弧的有效措施。

經(jīng)試算，如果截流值達(dá)10A時(shí)，振蕩電壓幅值將達(dá)到7kV，約為兩倍以下相對(duì)地電壓。電弧重燃過電壓。高頻電弧重燃過電壓發(fā)生的幾率較高，過電壓幅值也很高。專業(yè)MSD用熔斷器有相關(guān)試驗(yàn)表明，針對(duì)6kV系統(tǒng)，捕捉并記錄到的過電壓高達(dá)18.2kV（有效值），如果回路等值電感、電容匹配，理論上講，更高的過電壓也可能發(fā)生，只不過彼時(shí)電動(dòng)機(jī)的絕緣已損壞，難以捕捉而已。分析高頻重燃過電壓。蘇熔電器可以分析出，負(fù)載側(cè)過電壓峰值由兩部分組成，第一項(xiàng)與負(fù)荷側(cè)等值電感中的電流有關(guān)，代表了負(fù)載側(cè)的磁場(chǎng)能量，第二項(xiàng)相當(dāng)于第一次高頻重燃電弧過零熄滅后負(fù)載側(cè)等值電容上的電壓，代表了負(fù)載側(cè)的電場(chǎng)能量。專業(yè)MSD用熔斷器第一次高頻重燃電弧過零熄滅后，接觸器觸頭之間的恢復(fù)電壓將提高，在觸頭間隙還沒有達(dá)到安全開距的前提下，更容易發(fā)生第二次第三次重燃，即極間去游離過程還沒有建立足夠的介電強(qiáng)度，則更容易發(fā)生第二次第三次重燃。所以一定的滅弧時(shí)間即觸頭分離和下一次電流過零這一特定的時(shí)間間隔是必要的。

擴(kuò)散是弧柱內(nèi)自由電子、正離子逸出弧柱以外，到周圍冷介質(zhì)中去的過程。擴(kuò)散是由于帶電質(zhì)點(diǎn)的不規(guī)則熱運(yùn)動(dòng)，以及空間電荷的分布不均勻，使電弧中的高溫離子由密集的空間向密度小，溫度低的方向擴(kuò)散。專業(yè)MSD用熔斷器電弧和周圍介質(zhì)的溫度差以及離子濃度差越大擴(kuò)散作用也越強(qiáng)。擴(kuò)散出來的離子，因冷卻而相互結(jié)合，成為中性質(zhì)點(diǎn)顯然，如果游離過程大于去游離過程，電弧將繼續(xù)燃燒，并越燒越旺，如果去游離過程大于游離過程，電弧便越來越小，最后電弧將熄滅。由此分析，熄滅電弧的基本方法是設(shè)法冷卻電弧，設(shè)法加強(qiáng)復(fù)合和擴(kuò)散形成的去游離過程。高壓限流熔斷器熄滅電弧的基本原理，就是當(dāng)熔體元件熔化而出現(xiàn)電弧后，迫使電弧深入到周圍填料石英砂構(gòu)成的縫隙中去，根據(jù)狹縫滅弧原理，電弧與石英砂緊密接觸，使電弧急劇冷卻，從而迫使電流急劇下降到零。當(dāng)預(yù)期電流非常大，熔體元件熔化、蒸發(fā)、出現(xiàn)間隙及電弧時(shí)，這一過程在非常短的時(shí)間之內(nèi)就已經(jīng)完成，熔體元件在來不及向周圍填料石英砂傳熱的情況下，就已經(jīng)熔斷并形成電弧。

多采用中性點(diǎn)不接地的運(yùn)行方式，在這種條件下使用阻容吸收器，由于相對(duì)地電容值增大，電容電流也將隨之大幅度增大，這時(shí)需重新考慮中性點(diǎn)接地的接地方式及零序保護(hù)的配置。當(dāng)火力發(fā)電廠單機(jī)容量為300MW及以上時(shí)，高壓廠用電系統(tǒng)的單相接地電容電流較大，多采用中性點(diǎn)經(jīng)低電阻接地的方式，相對(duì)于大得多的低電阻接地的阻性電流來說，阻容吸收器電容電流的影響就不那么大了。專業(yè)MSD用熔斷器所以在高壓廠用電系統(tǒng)的中性點(diǎn)采用低電阻接地的接地方式的大容量機(jī)組中，采用阻容吸收器作為限制過電壓的措施在理論上已經(jīng)成為了一種可行的措施，但針對(duì)不同系統(tǒng)，其具體參數(shù)需要進(jìn)一步的運(yùn)行測(cè)試檢驗(yàn)。制過電壓的保護(hù)措施及過電壓保護(hù)裝置的選針對(duì)中性點(diǎn)低電阻接地系統(tǒng)，用于F-C回路的阻容過電壓吸收器可以采用不接地系統(tǒng)相同的電容值和電阻值，即可以取相間電容約為0.1~0.5F，相間電阻值約為100~500，相地電容約為0.2~1F，相地電阻值約為50~25002。由于重慶MSD用熔斷器單相接地故障時(shí)不存在相電壓升高為線電壓的問題，阻容過電壓吸收器宜采用星形接線方式，而不再是傳統(tǒng)上適用于中性點(diǎn)非接地系統(tǒng)的“三叉戟”型式。